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网站首页 > 产品> PMBFJ175,215

568-6483-6-ND

型号 :
PMBFJ175,215
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
JFET P-CH 30V 300MW SOT23
PDF :
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库存 :
530 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 类型 P 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 3V @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 8pF @ 10V(VGS)
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 7mA @ 15V
供应商器件封装 SOT-23(TO-236AB)
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏极电流(Id) - 最大值 -
漏源极电压(Vdss) 30V
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 30V
电阻 - RDS(开) 125 欧姆
系列 -
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