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网站首页 > 产品> PMBFJ112,215

568-6481-2-ND

型号 :
PMBFJ112,215
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
JFET N-CH 40V 300MW SOT23
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6pF @ 10V(VGS)
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 5mA @ 15V
供应商器件封装 SOT-23(TO-236AB)
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏极电流(Id) - 最大值 -
漏源极电压(Vdss) 40V
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
电阻 - RDS(开) 50 欧姆
系列 -
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