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2SK3320-GR(TE85LFDKR-ND

型号 :
2SK3320-GR(TE85L,F
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
JFET DUAL N-CH USV
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 200mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 13pF @ 10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2.6mA @ 10V
供应商器件封装 USV
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
漏极电流(Id) - 最大值 -
漏源极电压(Vdss) -
电压 - 击穿(V(BR)GSS) -
电阻 - RDS(开) -
系列 -
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