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网站首页 > 产品> PMBFJ620,115

568-2084-1-ND

型号 :
PMBFJ620,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
JFET 2N-CH 25V 190MW 6TSSOP
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 2V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5pF @ 10V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 24mA @ 10V
供应商器件封装 6-TSSOP
功率 - 最大值 190mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏极电流(Id) - 最大值 -
漏源极电压(Vdss) 25V
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 25V
电阻 - RDS(开) 50 欧姆
系列 -
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