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2SK3666-4-TB-E-ND

型号 :: 2SK3666-4-TB-E

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: JFET N-CH 30V 10MA 200MW CP

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库存 :: 800

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2SK3666-4-TB-E

FET 类型	N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	4pF @ 10V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	2.5mA @ 10V
供应商器件封装	3-CP
功率 - 最大值	200mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏极电流（Id） - 最大值	10mA
漏源极电压（Vdss）	30V
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	30V
电阻 - RDS（开）	200 欧姆
系列	-

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