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HN3C10FUTE85LFDKR-ND

型号 :
HN3C10FUTE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
TRANSISTOR NPN US6
PDF :
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库存 :
2971 
单价 :
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 20mA,10V
供应商器件封装 US6
功率 - 最大值 200mW
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
增益 11.5dB
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管类型 2 NPN(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80mA
系列 -
频率 - 跃迁 7GHz
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