SSM6J501NU,LF - 上海强芯电子技术有限公司

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SSM6J501NULF(TTR-ND

型号 :: SSM6J501NU,LF

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

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库存 :: 6000

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SSM6J501NU,LF

FET 功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	2600pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	29.9nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
供应商器件封装	6-UDFN（2x2）
功率 - 最大值	1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A（Ta）
系列	-

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