服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> BSP110,115

568-6812-2-ND

型号 :
BSP110,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
PDF :
PDF
库存 :
5000 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 40pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 150mA,5V
供应商器件封装 SC-73
功率 - 最大值 6.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 520mA(Tc)
系列 TrenchMOS™
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]