1SS307(TE85L,F) - 上海强芯电子技术有限公司

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1SS307(TE85LF)CT-ND

型号 :: 1SS307(TE85L,F)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

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库存 :: 5325

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1SS307(TE85L,F)

不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.3V @ 100mA
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	10µA @ 30V
不同 Vr，F 时的电容	6pF @ 0V，1MHz
二极管类型	标准
供应商器件封装	S-Mini
反向恢复时间（trr）	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度 - 结	125°C（最大）
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	30V
电流 - 平均整流（Io）	100mA
系列	-
速度	小信号 =< 200mA（Io），任意速度

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