服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> 1N8026-GA

1242-1113-ND

型号 :
1N8026-GA
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
简介 :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
PDF :
PDF
库存 :
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.6V @ 2.5A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 1200V
不同 Vr,F 时的电容 237pF @ 1V,1MHz
二极管类型 碳化硅肖特基
供应商器件封装 TO-257
反向恢复时间(trr) 0ns
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-257-3
工作温度 - 结 -55°C ~ 250°C
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流(Io) 8A(DC)
系列 -
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]