服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> 2SA1162S-GR,LF

2SA1162S-GRLFCT-ND

型号 :
2SA1162S-GR,LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
PDF :
PDF
库存 :
4531 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 10mA,100mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
供应商器件封装 S-Mini
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管类型 PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA
系列 -
频率 - 跃迁 80MHz
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]