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BSP19AT1GOSDKR-ND

型号 :
BSP19AT1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
PDF :
PDF
库存 :
11835 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 4mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 20mA,10V
供应商器件封装 SOT-223
功率 - 最大值 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 350V
电流 - 集电极截止(最大值) -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
系列 -
频率 - 跃迁 70MHz
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