2SD1221-Y(Q) - 上海强芯电子技术有限公司

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2SD1221-Y(Q)-ND

型号 :: 2SD1221-Y(Q)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: TRANS NPN 60V 3A PW MOLD

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库存 :: 800

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2SD1221-Y(Q)

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	1V @ 300mA，3A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 500mA，5V
供应商器件封装	PW-MOLD
功率 - 最大值	1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
晶体管类型	NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）	60V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	3A
系列	-
频率 - 跃迁	3MHz

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