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DTDG14GPT100DKR-ND

型号 :
DTDG14GPT100
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
PDF :
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库存 :
2563 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 5mA,500mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 300 @ 500mA,2V
供应商器件封装 MPT3
功率 - 最大值 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-243AA
晶体管类型 NPN - 预偏压
电压 - 集射极击穿(最大值) 60V
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 1A
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) -
系列 -
频率 - 跃迁 80MHz
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