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568-11243-1-ND

型号 :
PDTB123YT,215
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
PDF :
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库存 :
3264 
单价 :
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不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 2.5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 50mA,5V
供应商器件封装 SOT-23(TO-236AB)
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管类型 PNP - 预偏压
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k
系列 -
频率 - 跃迁 -
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