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网站首页 > 产品> PDTA115EM,315

568-2108-2-ND

型号 :
PDTA115EM,315
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 250µA,5mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,5V
供应商器件封装 SOT-883
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-101,SOT-883
晶体管类型 PNP - 预偏压
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 100k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 100k
系列 -
频率 - 跃迁 -
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