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HN3A51F(TE85LF)DKR-ND

型号 :
HN3A51F(TE85L,F)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
PDF :
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库存 :
4150 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
供应商器件封装 SM6
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管类型 2 PNP(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 120V
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
系列 -
频率 - 跃迁 100MHz
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