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HN1C03F-B(TE85LF)DKR-ND

型号 :
HN1C03F-B(TE85L,F)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
PDF :
PDF
库存 :
4841 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 100mV @ 3mA,30mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 350 @ 4mA,2V
供应商器件封装 SM6
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管类型 2 NPN(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 300mA
系列 -
频率 - 跃迁 30MHz
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