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HN1B04FU-GR(LFT)DKR-ND

型号 :
HN1B04FU-GR(L,F,T)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
供应商器件封装 US6
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管类型 NPN,PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 150mA
系列 -
频率 - 跃迁 150MHz
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