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IMH23T110DKR-ND

型号 :
IMH23T110
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
PDF :
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库存 :
4582 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 2.5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 820 @ 50mA,5V
供应商器件封装 SMT6
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 20V
电流 - 集电极截止(最大值) -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 600mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) -
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k
系列 -
频率 - 跃迁 150MHz
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