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IMH1AT110DKR-ND

型号 :
IMH1AT110
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
PDF :
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库存 :
249408 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500µA,10mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V
供应商器件封装 SMT6
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 22k
系列 -
频率 - 跃迁 250MHz
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