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网站首页 > 产品> PEMF21,115

568-2173-6-ND

型号 :
PEMF21,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
PDF :
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库存 :
8906 
单价 :
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不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V / 200 @ 10mA,2V
供应商器件封装 SOT-666
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,12V
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,500mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k
系列 -
频率 - 跃迁 280MHz
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