服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> RN2501(TE85L,F)

RN2501(TE85LF)TR-ND

型号 :
RN2501(TE85L,F)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250µA,5mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V
供应商器件封装 SMV
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74A,SOT-753
晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k
系列 -
频率 - 跃迁 200MHz
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]