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EMB10T2RCT-ND

型号 :
EMB10T2R
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250µA,5mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
供应商器件封装 EMT6
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k
系列 -
频率 - 跃迁 250MHz
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