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EMF8T2R-ND
- 型号 :
- EMF8T2R
- 制造商 :
- Rohm Semiconductor
- 简介 :
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- PDF :
- 库存 :
- 800
- 单价 :
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| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA |
|---|---|
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V，12V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA，500mA |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 47k |
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | 47k |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz，320MHz |
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