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PUMF12,115-ND

型号 :
PUMF12,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500µA,10mA / 200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,5V / 120 @ 1mA,6V
供应商器件封装 6-TSSOP
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,40V
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 22k
系列 -
频率 - 跃迁 100MHz
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