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NSM11156DW6T1G-ND

型号 :
NSM11156DW6T1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA / 650mV @ 5mA,100mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V / 220 @ 2mA,5V
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大值 230mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管类型 1 PNP 预偏压式,1 PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V,65V
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k
系列 -
频率 - 跃迁 -
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